快科技8月4日消息，據(jù)報道，SK海力士正在開發(fā)400層堆疊的NAND閃存，將于2025年投入大規(guī)模量產(chǎn)，再次遙遙領先。

為了達成如此密集的堆疊，SK海力士使用了所謂的4D NAND閃存、混合鍵合技術(shù)，也就是W2W(wafer-to-wafer)結(jié)構(gòu)，將兩塊晶圓鍵合在一起，和目前將閃存單元置于外圍驅(qū)動電路之上的PUC結(jié)構(gòu)截然不同。

這就涉及到了連接不同晶圓的各種材料和技術(shù)，包括拋光、蝕刻、沉淀、引線等各個階段。

其實，這就頗有點長江存儲晶棧結(jié)構(gòu)的味道了。

SK海力士在去年8月已經(jīng)展示了321層堆疊閃存的樣品，是第一家做到300+層的，而且是TLC。

其他廠商方面，三星已經(jīng)量產(chǎn)290層閃存，目標是2030年超過1000層。

美光已經(jīng)將276層閃存投入實用。

鎧俠去年達成了218層，暗示有望在2027年就達到1000層。

長江存儲……不公開，也不能說。