Intel正在積極推進(jìn)“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，將在2024-2025年搞定20A、18A工藝，分別相當(dāng)于2nm、1.8nm，尤其后者預(yù)計(jì)會(huì)反超臺(tái)積電，重奪領(lǐng)先。

對(duì)此，臺(tái)積電自然不會(huì)坐視不理，對(duì)自己的技術(shù)也非常自信。

臺(tái)積電總裁魏哲家聲稱，根據(jù)內(nèi)部評(píng)估，臺(tái)積電N3P 3nm工藝在性能方面就可以媲美Intel 18A，而且更早推出、更成熟、更省成本。

他還強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電的2nm工藝比Intel 18A更加先進(jìn)，2025年推出的時(shí)候?qū)⒊蔀樽钕冗M(jìn)的制程工藝。

Intel 20A/18A將會(huì)引入全環(huán)繞柵極晶體管RibbonFET，以及背部供電PowerVia。

臺(tái)積電的N3/N3E/N3P/N3X 3nm系列則依然是傳統(tǒng)的FinFET晶體管，2nm工藝上才會(huì)上馬GAA全環(huán)繞晶體管。

其中，N2版本計(jì)劃2025年下半年量產(chǎn)，N2P版本計(jì)劃2026年底量產(chǎn)。

在過去的第三季度，5nm工藝為臺(tái)積電貢獻(xiàn)了37％的收入，遙遙領(lǐng)先其他節(jié)點(diǎn)，其次是7nm 16％、28nm 10％、16nm 9％。

3nm在這個(gè)季度第一次為臺(tái)積電創(chuàng)收，就帶來了約10.3億美元(感謝蘋果)。

相比之下，5nm工藝在2020年第三季度首次商用取得收入約9.7億美元，占比約8％。