快科技12月23日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道稱，Intel的CEO接受采訪時(shí)表示，自家的18A制程（1.8nm）比領(lǐng)先臺(tái)積電N2，在這塊他們2年內(nèi)沒有對(duì)手。

報(bào)道稱，英特爾的未來取決于重新獲得半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位，這位CEO相信這將在兩年內(nèi)實(shí)現(xiàn)。

在Intel的CEO看來，其對(duì)20A和18A充滿信心，主要是因?yàn)樗鼈儾捎昧薘ibbonFET架構(gòu)，即全柵極 (GAA) 晶體管和背面功率傳輸技術(shù)。

這些技術(shù)對(duì)于制造2nm芯片的公司來說至關(guān)重要，可以在降低功率泄漏的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的邏輯密度和時(shí)鐘速度。

與此同時(shí)，臺(tái)積電的N3P和其他即將推出的3nm節(jié)點(diǎn)將繼續(xù)使用成熟的FinFET架構(gòu)，直到英特爾一年后的N2節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)向GAA。

不過臺(tái)積電并不買賬，公司總裁魏哲家之前聲稱，根據(jù)內(nèi)部評(píng)估，臺(tái)積電N3P 3nm工藝在性能方面就可以媲美Intel 18A，而且更早推出、更成熟、更省成本。

他還強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電的2nm工藝比Intel 18A更加先進(jìn)，2025年推出的時(shí)候?qū)⒊蔀樽钕冗M(jìn)的制程工藝。

值得一提的是，Intel的CEO之前還表示，英偉達(dá)的成功都是運(yùn)氣。