金邦將展示創(chuàng)紀錄的10200MHz DDR5內(nèi)存:不需要液氮
來源:快科技 編輯:非小米 時間:2024-06-05 08:35人閱讀
快科技6月2日消息,邦宣布,將在臺北電腦展上首發(fā)展示10200MHz創(chuàng)紀錄高頻率的DDR5內(nèi)存,突破10GHz大關。
金邦強調(diào),這種內(nèi)存依然需要極高的電壓,但不再需要液氮等極端散熱方式,常規(guī)的散熱片加風冷就可以搞定。
就在日前,十銓也宣布了全球首款10GHz DDR5內(nèi)存,名為“Xtreem玄境”,采用了2mm厚的鰭片式鋁合金散熱馬甲,專業(yè)導熱硅脂,提供粉色、白色兩種風格。

另外,金邦還宣布達成了DDR5 9000MHz頻率、CL40-54-54-112時序,電壓為1.45V,單條容量16GB,雙條組成32GB套裝。
該內(nèi)存已經(jīng)在華碩ROG CROSSHAIR X670E GENE主板上通過穩(wěn)定性考驗。
金邦稱,該內(nèi)存專為AMD銳龍8000G APU優(yōu)化設計,可以保證核顯滿血性能釋放——不會真的有人這么搭配吧。
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